現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品,已知室溫下(300K)它們的空穴濃度分別為p01=2.25×1015/cm3,p02=1.5×1010/cm3,p03=2.25×104/cm3 (1)分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度 (2)判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類型 (3)計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級的位置