半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.27)

問答題
間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？
答案：間接復(fù)合效應(yīng)是指非平衡載流子通過位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級Et而逐漸消失的效應(yīng)，Et的存在可能大大促進(jìn)...
問答題
n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計(jì)算無光照和有光照的電導(dǎo)率。
答案：
名詞解釋
能帶
答案：晶體中，電子的能量是不連續(xù)的，在某些能量區(qū)間能級分布是準(zhǔn)連續(xù)的，在某些區(qū)間沒有能及分布。這些區(qū)間在能級圖中表現(xiàn)為帶狀，稱...
問答題
解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？
答案：
耿氏振蕩來源于半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)微分電導(dǎo)，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長度。
問答題
描述半導(dǎo)體中電子運(yùn)動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運(yùn)動有何局限性。
答案：引進(jìn)有效質(zhì)量的意義在于它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用，使得在解決半導(dǎo)體中電子在外力作用下的運(yùn)動規(guī)律時，可以不涉及半導(dǎo)體內(nèi)部...
問答題
兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。（1）如果第一塊材料的費(fèi)米能級在導(dǎo)帶之下3k0T，求第二塊材料的費(fèi)米能級的位置。（2）兩塊材料中空穴密度之比。
答案：
（1）設(shè)第一塊和第二塊材料的費(fèi)米能級分別為E_F1和E_F2，利用
問答題
試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。
答案：電子的共有化運(yùn)動導(dǎo)致孤立原子的能級形成能帶，即允帶和禁帶。溫度升高，則電子的共有化運(yùn)動加劇，導(dǎo)致允帶進(jìn)一步分裂、變寬；允...
問答題
磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)εr=11.1，空穴的有效質(zhì)量mp*=0.86m0，m0為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。
答案：
填空題
溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。
答案：下移;增大
問答題
什么叫雜質(zhì)補(bǔ)償，什么叫高度補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體，雜質(zhì)補(bǔ)償有何實(shí)際應(yīng)用。
答案：當(dāng)半導(dǎo)體中既有施主又有受主時，施主和受主將先相互抵消，剩余的雜志最后電離，這就是雜質(zhì)補(bǔ)償，若施主電子剛好填充受主能級，雖...

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半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.27)

間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計(jì)算無光照和有光照的電導(dǎo)率。

能帶

解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？

描述半導(dǎo)體中電子運(yùn)動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運(yùn)動有何局限性。

兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。（1）如果第一塊材料的費(fèi)米能級在導(dǎo)帶之下3k0T，求第二塊材料的費(fèi)米能級的位置。（2）兩塊材料中空穴密度之比。

試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。

磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)εr=11.1，空穴的有效質(zhì)量mp*=0.86m0，m0為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。

什么叫雜質(zhì)補(bǔ)償，什么叫高度補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體，雜質(zhì)補(bǔ)償有何實(shí)際應(yīng)用。

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.27)

間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計(jì)算無光照和有光照的電導(dǎo)率。

能帶

解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？

描述半導(dǎo)體中電子運(yùn)動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運(yùn)動有何局限性。

兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。（1）如果第一塊材料的費(fèi)米能級在導(dǎo)帶之下3k0T，求第二塊材料的費(fèi)米能級的位置。（2）兩塊材料中空穴密度之比。

試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。

磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)εr=11.1，空穴的有效質(zhì)量mp*=0.86m0，m0為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。

什么叫雜質(zhì)補(bǔ)償，什么叫高度補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體，雜質(zhì)補(bǔ)償有何實(shí)際應(yīng)用。

間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計(jì)算無光照和有光照的電導(dǎo)率。

解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？

描述半導(dǎo)體中電子運(yùn)動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運(yùn)動有何局限性。

兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。（1）如果第一塊材料的費(fèi)米能級在導(dǎo)帶之下3k0T，求第二塊材料的費(fèi)米能級的位置。（2）兩塊材料中空穴密度之比。

試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。

磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)εr=11.1，空穴的有效質(zhì)量mp*=0.86m0，m0為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。

什么叫雜質(zhì)補(bǔ)償，什么叫高度補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體，雜質(zhì)補(bǔ)償有何實(shí)際應(yīng)用。