半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.22)

（1）試證明在室溫下，當(dāng)半導(dǎo)體的電子濃度時(shí)，其電導(dǎo)率為最小值，求在上述條件下的空穴濃度。
（2）當(dāng)n_i=2.5×10¹³/cm³，μ_p=1900cm²/v˙s，μ_n=3800cm²/v˙s，求其本征電導(dǎo)率和電波電導(dǎo)率。
（3）當(dāng)n₀和p₀為何值時(shí)，電導(dǎo)率等于本征電導(dǎo)率。

在室溫下，高純鍺的電子遷移率μ_n=3900cm²/v˙s，設(shè)電子的有效質(zhì)量為m_n=3×10^-29g，求：
（1）熱運(yùn)動(dòng)速度平均值 
（2）平均自由時(shí)間
（3）平均自由路程 
（4）在外加電場(chǎng)為10/Vcm時(shí)的漂移速度

簡(jiǎn)述各類MOS單級(jí)放大電路的特點(diǎn)。