集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.12.16)

問答題
簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？
答案：安裝前需檢查BGA焊球的共面性以及有無脫落，BGA在PWB上的安裝與目前的SMT工藝設(shè)備和工藝基本兼容。
先將...
問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
答案：
填空題
制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。
答案：硅襯底；微芯片；芯片
問答題
簡述什么是硅化物及其作用。
答案：硅化物是在高溫下難熔金屬（通常是鈦Ti、鈷Co）與硅反應(yīng)形成的金屬化合物（如TiSi₂、CoSi<...
判斷題
在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進和激活。
答案：正確
名詞解釋
SOS
答案：
藍寶石上硅或者尖晶石的襯底上進行硅的異質(zhì)外延。
問答題
雙極、CMO和BiCMOS集成電路器件各有何特點？
答案：雙極器件具有速度高、驅(qū)動能力強和低噪聲等特性，但功耗大而且集成度低。CMOS器件具有低功耗、集成度高和抗干擾能力強等優(yōu)點...
問答題
為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？
答案：不用SF₆等F基氣體是因為Cl基氣體刻蝕多晶硅對下層的柵氧化層有較高的選擇比。
填空題
常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。
答案：機械；化學(xué)；機械化學(xué)
判斷題
半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。
答案：正確

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集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.12.16)

簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。

簡述什么是硅化物及其作用。

在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進和激活。

SOS

雙極、CMO和BiCMOS集成電路器件各有何特點？

為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？

常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。

集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.12.16)

簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。

簡述什么是硅化物及其作用。

在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進和激活。

SOS

雙極、CMO和BiCMOS集成電路器件各有何特點？

為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？

常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。

簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。

簡述什么是硅化物及其作用。

在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進和激活。

雙極、CMO和BiCMOS集成電路器件各有何特點？

為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？

常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。