集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.11.24)

名詞解釋
外延
答案：
在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)一層新的單晶薄膜的工藝技術(shù)。
填空題
CZ直拉法的目的是（）。
答案：實(shí)現(xiàn)均勻摻雜的同時(shí)并且復(fù)制仔晶的結(jié)構(gòu)，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質(zhì)引入到硅中
填空題
離子注入在襯底中產(chǎn)生的損傷主要有（）等三種。
答案：點(diǎn)缺陷、非晶區(qū)、非晶層
名詞解釋
通孔
答案：
是指穿過(guò)各種介質(zhì)從某一金屬到毗鄰的另一金屬層形成電通路的開口。
判斷題
蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對(duì)坩堝進(jìn)行間接加熱。
答案：正確
判斷題
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。
答案：正確
填空題
集成電路制作工藝大體上可以分成三類，包括（）、（）、（）。
答案：圖形轉(zhuǎn)化技術(shù)；薄膜制備技術(shù)；摻雜技術(shù)
判斷題
多晶硅柵的寬度通常是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。
答案：正確
填空題
提拉出合格的單晶硅棒后，還要經(jīng)過(guò)（）、（）、（）等工序過(guò)程方可制備出符合集成電路制造要求的硅襯底片。
答案：切片；研磨；拋光
問(wèn)答題
載帶自動(dòng)焊的分類及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)？
答案：TAB按其結(jié)構(gòu)和形狀可分為
Cu箔單層帶：
Cu的厚度為35-70um，
Cu-PI雙層帶...

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