A. 離子注入 B. 熱擴(kuò)散
二氧化硅膜能有效的對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（） ①雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù) ②雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù) ③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度 ④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
A.②④ B.①③ C.①④ D.②③
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