單項選擇題

二氧化硅膜能有效的對擴散雜質起掩蔽作用的基本條件有哪些()     
①雜質在硅中的擴散系數大于在二氧化硅中的擴散系數 
②雜質在硅中的擴散系數小于在二氧化硅中的擴散系數 
③二氧化硅的厚度大于雜質在二氧化硅中的擴散深度 
④二氧化硅的厚度小于雜質在二氧化硅中的擴散深度

A.②④
B.①③
C.①④
D.②③

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名詞解釋

歐姆接觸

答案: 當金屬與半導體的接觸電阻小到可忽略不計時,稱為歐姆接觸。
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