半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.11.25)

填空題
光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、（）、曝光、（）、堅(jiān)膜、腐蝕、（）等步驟。
答案：前烘；顯影；去膠
問(wèn)答題
什么是無(wú)源元件？例舉出兩個(gè)無(wú)源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個(gè)有源元件的例子。
答案：無(wú)源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。這些元件無(wú)論如何和電源相連，都可以傳輸電流。如電阻，電容...
問(wèn)答題
例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
答案：
填空題
半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。
答案：元素；化合物
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。
答案：二氧化硅腐蝕最常見(jiàn)的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進(jìn)行的SiO₂濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...
單項(xiàng)選擇題
雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。
A.基區(qū)寬度
B.外延層厚度
C.表面界面狀態(tài)
單項(xiàng)選擇題
離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
問(wèn)答題
例舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。
答案：（1）晶核形成
分離的小膜層形成于襯底表面，是薄膜進(jìn)一步生長(zhǎng)的基礎(chǔ)。
（2）凝聚成束
形成...
單項(xiàng)選擇題
屬于絕緣體的正確答案是（）。
A.金屬、石墨、人體、大地
B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、鍺、砷化鎵、磷化銦
D.各種酸、堿、鹽的水溶液
問(wèn)答題
最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？
答案：最通常的半導(dǎo)體材料是硅。
原因：
1.硅的豐裕度；
2.更高的融化溫度允許更高的工藝容限；...

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半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.11.25)

光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、（）、曝光、（）、堅(jiān)膜、腐蝕、（）等步驟。

什么是無(wú)源元件？例舉出兩個(gè)無(wú)源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個(gè)有源元件的例子。

例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。

簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。

雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。

離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

例舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。

屬于絕緣體的正確答案是（）。

最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？

半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.11.25)

光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、（）、曝光、（）、堅(jiān)膜、腐蝕、（）等步驟。

什么是無(wú)源元件？例舉出兩個(gè)無(wú)源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個(gè)有源元件的例子。

例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。

簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。

雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。

離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

例舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。

屬于絕緣體的正確答案是（）。

最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？

光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、（）、曝光、（）、堅(jiān)膜、腐蝕、（）等步驟。

什么是無(wú)源元件？例舉出兩個(gè)無(wú)源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個(gè)有源元件的例子。

例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。

簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。

雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。

離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

例舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。

屬于絕緣體的正確答案是（）。

最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？