半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.11.11)

填空題
全定制、半定制版圖設計中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。
答案：符號圖；抽象圖；線路圖；版圖
問答題
集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？
答案：擴散工藝分類：按原始雜質源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴散，液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散（1）.開管擴散...
填空題
如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。
答案：不合格
問答題
例舉并描述IC生產過程中的5種不同電學測試。
答案：IC生產過程中的5種不同電學測試：
（1）IC設計驗證：描述、調試和檢驗新的芯片設計，保證符合規(guī)格要求，是在生...
問答題
簡述RTP在集成電路制造中的常見應用。
答案：1）雜質的快速熱激活RTP工藝最具吸引力的的熱點之一是晶圓片不用達到熱平衡狀態(tài)，意味著電活性的有效摻雜實際上可以超過固溶...
問答題
根據(jù)原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？
答案：干法刻蝕是采用等離子體進行刻蝕的技術，根據(jù)原理分為濺射與離子銑（物理）、等離子刻蝕（化學）、反應離子刻蝕（物理+化學）。...
單項選擇題
腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
問答題
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？
答案：
問答題
描述熱氧化過程。
答案：①干氧：Si＋O₂ SiO₂
氧化速度慢，氧化層干燥、致...
判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
答案：錯誤

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半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.11.11)

全定制、半定制版圖設計中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

例舉并描述IC生產過程中的5種不同電學測試。

簡述RTP在集成電路制造中的常見應用。

根據(jù)原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？

腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？

描述熱氧化過程。

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.11.11)

全定制、半定制版圖設計中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

例舉并描述IC生產過程中的5種不同電學測試。

簡述RTP在集成電路制造中的常見應用。

根據(jù)原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？

腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

描述熱氧化過程。

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

全定制、半定制版圖設計中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？

如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

例舉并描述IC生產過程中的5種不同電學測試。

簡述RTP在集成電路制造中的常見應用。

根據(jù)原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？