半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.06.25)

填空題
大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。
答案：復(fù)雜可編程邏輯器件；現(xiàn)場可編程門陣列
問答題
影響外延薄膜的生長速度的因素有哪些？
答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長速率對溫度的變化不敏感，生長速率由氣相質(zhì)量輸運控制，并且對反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...
填空題
半導(dǎo)體材料的主要晶體結(jié)構(gòu)有（）型、閃鋅礦型、（）型。
答案：金剛石；纖鋅礦
問答題
說明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡述結(jié)晶型SiO2和無定形SiO2的區(qū)別。
答案：結(jié)晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個頂角的O原子與兩個...
問答題
簡述雜質(zhì)在SiO2的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO2的物理性質(zhì)。
答案：熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì)，某些最常見的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長中有水存在，一種可能發(fā)生...
填空題
離子注入是借其（）強行進入靶材料中的一個（）物理過程。
答案：動能；非平衡
單項選擇題
外殼設(shè)計包括（）設(shè)計、熱性能設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計三部分，而可靠性設(shè)計也包含在這三部分中間。
A.電性能
B.電阻
C.電感
問答題
物理氣相淀積最基本的兩種方法是什么？簡述這兩種方法制備薄膜的過程。
答案：物理氣相淀積：蒸發(fā)Evaporation、濺射Sputtering熱蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)...
問答題
簡述RTP設(shè)備的工作原理，相對于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢？
答案：RTP工藝是一類單片熱處理工藝，其目的是通過縮短熱處理時間和溫度或只縮短熱處理時間來獲得最小的工藝熱預(yù)算（Thermal...
問答題
個投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計算其理論分辨率和焦深。
答案：
分辨率：
焦深：

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