半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.03.27)

判斷題
干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）
答案：正確
判斷題
半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）
答案：錯(cuò)誤
單項(xiàng)選擇題
恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）
A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)
多項(xiàng)選擇題
按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
填空題
白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。
答案：干涉色
判斷題
雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）
答案：錯(cuò)誤
判斷題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）
答案：正確
填空題
工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書寫工整、（）。
答案：真實(shí)；完整；數(shù)據(jù)準(zhǔn)確
填空題
對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。
答案：邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)
填空題
半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑（）加速到的需要的（），直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的（）。
答案：離子；能量；退火處理

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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.03.27)

干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）

恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。

白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。

雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）

片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）

工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書寫工整、（）。

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑（）加速到的需要的（），直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的（）。

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.03.27)

干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）

恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。

白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。

雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）

片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）

工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書寫工整、（）。

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑（）加速到的需要的（），直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的（）。

干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。

白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。

雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）

片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）

工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書寫工整、（）。

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑（）加速到的需要的（），直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的（）。