半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級工章節(jié)練習(xí)(2019.02.03)

填空題
半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素（）、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。
答案：半導(dǎo)體；化合物
填空題
腐蝕V形槽一般采用（）的濕法化學(xué)腐蝕方法。
答案：各向異性
填空題
用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色（）、結(jié)構(gòu)（）；表面無（）、無（）、不發(fā)花；表面無裂紋、（）。
答案：是否均勻；是否致密；斑點(diǎn)；白霧；無針孔
多項(xiàng)選擇題
下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。
A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）
B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（Al）
C.砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（TE）
D.砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂
單項(xiàng)選擇題
腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
多項(xiàng)選擇題
按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
判斷題
遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）
答案：正確
填空題
對標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。
答案：邏輯單元符號庫；功能單元庫；拓?fù)鋯卧獛?；版圖單元庫
單項(xiàng)選擇題
恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）
A.高斯函數(shù)
B.余誤差函數(shù)
C.指數(shù)函數(shù)
D.線性函數(shù)
判斷題
單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）
答案：正確

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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級工章節(jié)練習(xí)(2019.02.03)

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素（）、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。

腐蝕V形槽一般采用（）的濕法化學(xué)腐蝕方法。

用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色（）、結(jié)構(gòu)（）；表面無（）、無（）、不發(fā)花；表面無裂紋、（）。

下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。

腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

對標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級工章節(jié)練習(xí)(2019.02.03)

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素（）、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。

腐蝕V形槽一般采用（）的濕法化學(xué)腐蝕方法。

用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色（）、結(jié)構(gòu)（）；表面無（）、無（）、不發(fā)花；表面無裂紋、（）。

下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。

腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。

對標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素（）、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。

腐蝕V形槽一般采用（）的濕法化學(xué)腐蝕方法。

用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色（）、結(jié)構(gòu)（）；表面無（）、無（）、不發(fā)花；表面無裂紋、（）。

按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。

對標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）