<label id="zy0r3"></label>

<rt id="zy0r3"><small id="zy0r3"></small></rt>

<rt id="zy0r3"></rt>

<label id="zy0r3"><legend id="zy0r3"><li id="zy0r3"></li></legend></label>

集成電路制造工藝員（三級）章節(jié)練習(xí)(2018.07.20)

多項(xiàng)選擇題
凈化室將硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如（）的沾污。
A.顆粒
B.金屬
C.有機(jī)分子
D.靜電釋放（ESD）
E.水
單項(xiàng)選擇題
早期，研究離子注入技術(shù)是用（）來進(jìn)行的。
A.重離子加速器
B.熱擴(kuò)散爐
C.質(zhì)子分析儀
D.輕離子分析器
問答題
浸焊機(jī)是如何分類的？各類的特點(diǎn)是什么？
答案：常用的浸焊機(jī)有兩種，一種是普通浸焊機(jī)，另一種是超聲波浸焊機(jī)。
①普通浸焊機(jī)
普通浸焊機(jī)是在錫鍋的基礎(chǔ)...
單項(xiàng)選擇題
干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時它的缺點(diǎn)有（）。
A.生長出的二氧化硅中引入很多可動離子
B.氧化的速度慢
C.生長的二氧化硅缺陷多
D.生長的二氧化硅薄膜鈍化效果差
單項(xiàng)選擇題
銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行，而必須施以（）。
A.等離子體刻蝕
B.反應(yīng)離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕
單項(xiàng)選擇題
離子注入裝置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系統(tǒng)等。
A.中子源
B.離子源
C.電子源
D.質(zhì)子源
單項(xiàng)選擇題
（）是以物理的方法來進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
問答題
片狀元器件有哪些包裝形式？
答案：
片狀元器件可以用三種包裝形式提供給用戶：散裝、管狀料斗和盤狀紙編帶。
問答題
焊錫膏在管理和使用時應(yīng)注意哪些問題？
答案：（1）焊膏通常應(yīng)該保存在5~10℃的低溫環(huán)境下，可以儲存在電冰箱的冷藏室內(nèi)。
（2）一般應(yīng)該在使用的前一天從冰...
單項(xiàng)選擇題
沾污引起的電學(xué)缺陷引起（），硅片上的管芯報廢以及很高的芯片制造成本。
A.不會影響成品率
B.晶圓缺陷
C.成品率損失
D.晶圓損失

<rt id="617d9"></rt><span id="617d9"><listing id="617d9"></listing></span>