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集成電路制造工藝員（三級(jí)）章節(jié)練習(xí)(2020.05.31)

多項(xiàng)選擇題
二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法有（）。
A.比色法
B.雙光干涉法
C.橢圓偏振光法
D.腐蝕法
E.電容-電壓法
問(wèn)答題
根據(jù)SMT在中國(guó)的發(fā)展水平，應(yīng)選擇何種貼片機(jī)？
答案：在選購(gòu)貼片機(jī)時(shí)，必須考慮其貼裝速度、貼裝精度、重復(fù)精度、送料方式和送料容量等指標(biāo)，使它既符合當(dāng)前產(chǎn)品的要求，又能適應(yīng)近期...
多項(xiàng)選擇題
解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有（）。
A.加強(qiáng)工藝操作
B.加強(qiáng)人體和環(huán)境衛(wèi)生
C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備
D.采用HCl氧化工藝
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無(wú)水跡
單項(xiàng)選擇題
當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為（）。
A.臨界劑量
B.飽和劑量
C.無(wú)損傷劑量
D.零點(diǎn)劑量
單項(xiàng)選擇題
（）是因?yàn)槲皆釉诰砻嫔媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。
A.晶核
B.晶粒
C.核心
D.核團(tuán)
單項(xiàng)選擇題
硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過(guò)（）到達(dá)晶片表面的。
A.粒子的擴(kuò)散
B.化學(xué)反應(yīng)
C.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送
D.被表面吸附
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述電解電容器的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)及用途。
答案：電解電容器以金屬氧化膜做為介質(zhì)，以金屬和電解質(zhì)做為電容的兩極，金屬為陽(yáng)極，電解質(zhì)為陰極。
電解電容的特點(diǎn)是：<...
單項(xiàng)選擇題
（）是以物理的方法來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
單項(xiàng)選擇題
我們可以從測(cè)量去離子水的酸度來(lái)判別陰陽(yáng)樹脂誰(shuí)先失效，陰樹脂先失效，水呈（）性。
A.酸
B.堿
C.弱酸
D.弱堿
問(wèn)答題
畫出自動(dòng)焊接工藝流程圖。
答案：