集成電路制造工藝員章節(jié)練習(xí)(2018.01.13)

來源：考試資料網(wǎng)

1 在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。

2 在熱擴散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴散時間大約（）為宜。

3 （）主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來進(jìn)行薄膜沉積的。

4 目前，最廣泛使用的退火方式是（）。

5 下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。

6.問答題試寫出SMC元件的小型化進(jìn)程是什么？

參考答案：系列型號的發(fā)展變化也反映了SMC元件的小型化進(jìn)程：5750（2220）→4532（1812）→322...

7 沾污是指半導(dǎo)體制造過程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。

8.問答題電子工藝技術(shù)人員的工作范圍是哪些？

參考答案：①根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計文件要求編制產(chǎn)品生產(chǎn)工藝流程、工時定額和工位作業(yè)指導(dǎo)書。指導(dǎo)現(xiàn)場生產(chǎn)人員完成工藝工作和產(chǎn)品質(zhì)量控制工作。<...

9 （）的氣體源中一般包含H⁺，C⁺，B⁺，Cl⁺，O⁺等離子。

10 關(guān)于正膠和負(fù)膠的特點，下列說法正確的是（）。