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問答題

【簡答題】根據(jù)氧化物的生長規(guī)律，試說明熱氧化生長過程中的兩個主要階段，并說明它們分別位于氧化生長過程中的哪一時段，各自的生長模型和規(guī)律以及反映生長速率的參數(shù)和影響該參數(shù)的主要因素是什么？

答案：分為線性氧化階段和拋物線氧化階段，他們分別位于氧化硅生長的初始階段或氧化層足夠薄時和氧化一段時間后的氧化硅生長的第二階段...

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【簡答題】試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義，并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù)，及他們對生長速率的主要影響。

答案：氧化生長速率是用于描述氧化物在硅片上生長的快慢。當(dāng)氧化劑的量足夠時，SiO₂生長的快慢最終由氧化劑...

【簡答題】試給出硅片上的熱氧化生長過程的示意圖，并說明其中的各物理量的基本含義。

答案：
F：number/（cm²-s）
C：number/cm³

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