問答題

【簡答題】列出簡化的雙阱CMOS工藝流程中的主要步驟，并說明該流程的兩個主要特點(diǎn)。

答案： 步驟：
阱區(qū)離子注入；
定義有源區(qū)刻蝕及在絕緣溝槽中填充氧化物；
淀積及形成多晶硅層圖形；...
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問答題

【簡答題】試說明雙阱CMOS工藝中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
答案：

N阱，P阱，多晶硅柵，N+源漏，P+源漏，接觸孔，通孔，金屬互聯(lián)及鈍化孔。
問答題

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答案： 墊養(yǎng)的作用：LOCOS和STI中都是作為緩沖層，用于減緩硅襯底與隨后淀積的氮化硅之間的應(yīng)力，改善硅與溝槽填充氧化物間的界...
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