問答題

【簡答題】試說明LOCOS和STI中淀積的襯墊氧化硅層以及場注的主要作用。

答案：墊養(yǎng)的作用：LOCOS和STI中都是作為緩沖層，用于減緩硅襯底與隨后淀積的氮化硅之間的應(yīng)力，改善硅與溝槽填充氧化物間的界...

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【簡答題】亞微米CMOS工藝采用的標準隔離技術(shù)是什么？試說明其主要工藝步驟。

答案：淺槽溝道隔離（STI）技術(shù)
步驟：
Deposit Nitride，Oxide；

【簡答題】試說明什么是LOCOS和它的主要作用以及該工藝的主要步驟，并說明該工藝存在的主要問題和解決方法。

答案： LOCOS即硅的局部氧化隔離技術(shù)，是亞微米以前的硅IC制造的標準隔離技術(shù)。它是采用選擇氧化方法來制備厚的場氧化層，且工藝...