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干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)有許多方法，通常采用的是（）終點(diǎn)檢測(cè)方法。

答案：殘余氣體質(zhì)譜分析、等離子室光發(fā)射譜分析和激光干涉

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問答題
【簡(jiǎn)答題】實(shí)用的等離子體刻蝕工藝必須滿足哪些條件？
答案：
1.反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性的；
2.選擇比率高；
3.刻蝕速率快；
4.具有好的終點(diǎn)靈敏性；
5.有好的各向異性刻蝕速率。
填空題
離子注入摻雜劑量偏差的原因主要來(lái)源于：（）、（）和可能的（）。例如：當(dāng)作²⁸Si⁺注入時(shí)，可能有真空系統(tǒng)中剩余氣體產(chǎn)生的（）也會(huì)同時(shí)注入。
答案：中性原子注入；二次電子效應(yīng)；相同荷質(zhì)比離子的注入；N₂⁺

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