答案：對(duì)晶體進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)離子注入的方向與與晶體的某個(gè)晶向平行時(shí)，一些離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，受到的核阻止作用很小，而且溝道中的...

你可能感興趣的試題

問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述離子注入工藝中退火的主要作用？
答案：由于離子注入所造成的損傷區(qū)及畸形團(tuán)，增加了散射中心及陷阱能級(jí)，使遷移率和壽命等半導(dǎo)體參數(shù)下降。此外，大部分的離子在被注入...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】擴(kuò)散摻雜與離子注入摻雜所形成的雜質(zhì)濃度分布各自的特點(diǎn)是什么？與擴(kuò)散摻雜相比離子注入摻雜的優(yōu)勢(shì)與缺點(diǎn)各是什么？
答案：擴(kuò)散雜質(zhì)所形成的濃度分布：雜質(zhì)摻雜主要是由高溫的擴(kuò)散方式來(lái)完成，雜質(zhì)原子通過(guò)氣相源或摻雜過(guò)的氧化物擴(kuò)散或淀積到硅晶片的表...