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標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝中的縱向NPN晶體管的發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)小。

答案：錯誤

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判斷題
從電路原理受控源的角度本質(zhì)上看，工作在飽和區(qū)的MOS晶體管本質(zhì)等效為電壓控制電流源。
答案：正確
判斷題
常用的IC設(shè)計方法有全定制設(shè)計方法、標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計方法、門陣列設(shè)計方法和可編程邏輯電路設(shè)計方法等。對于性能要求很高或批量很大的產(chǎn)品，如存儲器、微處理器等，一般采用可編程邏輯電路設(shè)計方法。
答案：錯誤

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