問答題

【案例分析題】對于室溫下硅材料，假設載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計算問題（2）中雜質半導體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。

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【案例分析題】對于室溫下硅材料，假設載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。當在本征硅中摻入百萬分之一的砷（As）后，設雜質全部電離，試計算電子濃度和空穴濃度。

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【案例分析題】對于室溫下硅材料，假設載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。畫出問題（2）中雜質半導體的能帶圖，并確定費米能級相對于E_C的位置

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【【案例分析題】】對于室溫下硅材料，假設載流子遷移率分別為μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10^-19C，本征載流子濃度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度為5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。試計算問題（2）中雜質半導體的電阻率與本征硅的電阻率的比值。

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