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          材料科學基礎單項選擇題每日一練(2020.06.09)

          • 單項選擇題

            位錯塞積的一個重要效應是在它的前端引起()

            A.應力偏轉
            B.應力松弛
            C.應力集中

          • 單項選擇題

            位錯的()是指在熱缺陷的作用下,位錯在垂直滑移方向的運動,結果導致空位或間隙原子的增值或減少。

            A.攀移
            B.滑移
            C.增值
            D.減少

          • 單項選擇題

            下列關于晶界的說法哪種是錯誤的()。

            A.晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的
            B.晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松
            C.晶界是原子、空位快速擴散的主要通道
            D.晶界易受腐蝕

          • 單項選擇題

            一般實際金屬結晶過程是()

            A.均勻形核
            B.非均勻形核
            C.都有可能
            D.以均勻形核開始,以非均勻形核結束

          • 單項選擇題

            對于形成雜質(zhì)缺陷而言,低價正離子占據(jù)高價正離子位置時,該位置帶有負電荷,為了保持電中性,會產(chǎn)生()。

            A.負離子空位
            B.間隙正離子
            C.間隙負離子
            D.A或B

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