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半導體芯片制造工單項選擇題每日一練(2019.11.25)

單項選擇題
光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導體晶片表面的掩膜層上的工藝（）
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
單項選擇題
離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
單項選擇題
厚膜元件燒結(jié)時，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W中更穩(wěn)定的狀態(tài)。
A.降低
B.升高
C.保持不變
單項選擇題
下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：（）
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
單項選擇題
非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm

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