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半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.05.13)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題采用無定形掩膜的情況下進行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應為多少？用注入雜質分布的射程和標準偏差寫出表達式。

參考答案：無定形靶內的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標準偏差，&p...

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2.問答題什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應？如何解決？

參考答案：表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學能量。當晶圓片表面有高...

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3.問答題寫出菲克第一定律和第二定律的表達式，并解釋其含義。

參考答案：費克第一定律：C雜質濃度；D擴散系數(shù)（單位為cm2/s）J材料凈流量（單位時間內流過單位面積的原子個數(shù)）解釋：如果在一個...

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4.問答題分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

參考答案：

5.問答題什么是擴散效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質分布有怎樣的變化？

參考答案：擴散效應是指襯底中的雜質與外延層中的雜質，在外延生長時互相擴散，引起襯底與外延層界面附近雜質濃度的緩慢變化。擴散效應對界...

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