集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.17)

單項(xiàng)選擇題
危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是（）。
A.2族金屬
B.堿金屬
C.合金金屬
D.稀有金屬
單項(xiàng)選擇題
在刻蝕二氧化硅過(guò)程中假如我們?cè)贑F4的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。
A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體
單項(xiàng)選擇題
ESD產(chǎn)生（）種不同的靜電總類。
A.1
B.4
C.3
D.2
單項(xiàng)選擇題
（）是通過(guò)把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
單項(xiàng)選擇題
當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。
A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)
C.氧的擴(kuò)散速率
D.壓力

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