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集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.18)
  • 單項(xiàng)選擇題
    （）的氣體源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等離子。
    
	A.Cl2
    
	B.BCl3
    
	C.CO2
    
	D.H2
    

  • 單項(xiàng)選擇題
    一般分析擴(kuò)散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定表面濃度條件和（）。
    
	A.恒定總摻雜劑量
    
	B.不恒定總摻雜劑量
    
	C.恒定雜志濃度
    
	D.不恒定雜志濃度
    

  • 單項(xiàng)選擇題
    真空蒸發(fā)又被人們稱(chēng)為（）。
    A.真空沉積  
    B.真空鍍膜  
    C.真空外延  
    D.真空
  • 單項(xiàng)選擇題
    用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。
    
	A.重要步驟
    
	B.次要步驟
    
	C.首要步驟
    
	D.不一定
    

  • 單項(xiàng)選擇題
    （）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來(lái)沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。
    
	A.蒸鍍
    
	B.離子注入
    
	C.濺射
    
	D.沉積
    

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