電路與模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)章節(jié)練習(xí)(2020.04.19)

問答題
判斷圖所示電路的反饋類型和性質(zhì)，寫出Io表達(dá)式，并說明電路的特點(diǎn)。
答案：電流串聯(lián)負(fù)反饋：
電流反饋會穩(wěn)定輸出電流，增大輸出電阻；串聯(lián)反饋使輸入電阻增大，該電路將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸...
問答題
在圖功放電路中，已知VCC=12V，RL=8Ω。ui為正弦電壓，求： 1．在UCES=0的情況下，負(fù)載上可能得到的最大輸出功率； 2．每個管子的管耗PCM至少應(yīng)為多少？每個管子的耐壓U（BR）CEO至少應(yīng)為多少？
答案：
單項(xiàng)選擇題
When a p-n junction is reverse-biased，its junction resistance is（）.
A.high
B.low
C.determined by the components that are external to the device
D.constantly changing
填空題
為了使放大電路的信號與負(fù)載間有良好的匹配，以使輸出功率盡可能加大，放大電路應(yīng)采用（）耦合方式。
答案：變壓器
問答題
日光燈可以等效為一個RL串聯(lián)電路，已知30W日光燈的額定電壓為220V。燈管電壓為75V。若鎮(zhèn)流器上的功率損耗可以略去，試計算電路的電流及功率因數(shù)。
答案：
問答題
求圖中各元件的功率，并指出每個元件起電源作用還是負(fù)載作用。
答案：
問答題
某集成運(yùn)放的一單元電路如圖所示，VT2、VT3的特性相同，且β足夠大，UBE=0.7V，R=1kΩ。問：（1）VT2、VT2和R組成什么電路？在電路中起什么作用？（2）電路中VT1、Re1起電平移動作用，保證ui=0時，uo=0，求IREF、IC3和Re1的值。
答案：
問答題
一壓控振蕩電路如圖所示，R1》R，硅穩(wěn)壓管VDZ的穩(wěn)定電壓為±UZ，UI為負(fù)的直流控制電壓，集成運(yùn)放A1，A2的性能理想。試求uo的峰峰值及電路振蕩頻率f0的表達(dá)式，并畫出uo1及uo的波形。
答案：
問答題
電路如圖所示，設(shè)MOS管的參數(shù)為UGS（th）=1V，IDO =500uA。電路參數(shù)為VDD=5V，－VSS=－5V，Rd=10kΩ，R=0.5kΩ，IDQ=0.5mA。若流過Rg1、Rg2的電流是IDQ的1/10，試確定Rg1和Rg2的值。
答案：
問答題
求圖所示電路ab端的等效阻抗Z及導(dǎo)納Y。
答案：

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電路與模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)章節(jié)練習(xí)(2020.04.19)

判斷圖所示電路的反饋類型和性質(zhì)，寫出Io表達(dá)式，并說明電路的特點(diǎn)。

在圖功放電路中，已知VCC=12V，RL=8Ω。ui為正弦電壓，求： 1．在UCES=0的情況下，負(fù)載上可能得到的最大輸出功率； 2．每個管子的管耗PCM至少應(yīng)為多少？每個管子的耐壓U（BR）CEO至少應(yīng)為多少？

When a p-n junction is reverse-biased，its junction resistance is（）.

為了使放大電路的信號與負(fù)載間有良好的匹配，以使輸出功率盡可能加大，放大電路應(yīng)采用（）耦合方式。

日光燈可以等效為一個RL串聯(lián)電路，已知30W日光燈的額定電壓為220V。燈管電壓為75V。若鎮(zhèn)流器上的功率損耗可以略去，試計算電路的電流及功率因數(shù)。

求圖中各元件的功率，并指出每個元件起電源作用還是負(fù)載作用。

某集成運(yùn)放的一單元電路如圖所示，VT2、VT3的特性相同，且β足夠大，UBE=0.7V，R=1kΩ。問：（1）VT2、VT2和R組成什么電路？在電路中起什么作用？（2）電路中VT1、Re1起電平移動作用，保證ui=0時，uo=0，求IREF、IC3和Re1的值。

一壓控振蕩電路如圖所示，R1》R，硅穩(wěn)壓管VDZ的穩(wěn)定電壓為±UZ，UI為負(fù)的直流控制電壓，集成運(yùn)放A1，A2的性能理想。試求uo的峰峰值及電路振蕩頻率f0的表達(dá)式，并畫出uo1及uo的波形。

電路如圖所示，設(shè)MOS管的參數(shù)為UGS（th）=1V，IDO =500uA。電路參數(shù)為VDD=5V，－VSS=－5V，Rd=10kΩ，R=0.5kΩ，IDQ=0.5mA。若流過Rg1、Rg2的電流是IDQ的1/10，試確定Rg1和Rg2的值。

求圖所示電路ab端的等效阻抗Z及導(dǎo)納Y。

電路與模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)章節(jié)練習(xí)(2020.04.19)

判斷圖所示電路的反饋類型和性質(zhì)，寫出Io表達(dá)式，并說明電路的特點(diǎn)。

在圖功放電路中，已知VCC=12V，RL=8Ω。ui為正弦電壓，求： 1．在UCES=0的情況下，負(fù)載上可能得到的最大輸出功率； 2．每個管子的管耗PCM至少應(yīng)為多少？ 每個管子的耐壓U（BR）CEO至少應(yīng)為多少？

When a p-n junction is reverse-biased，its junction resistance is（）.

為了使放大電路的信號與負(fù)載間有良好的匹配，以使輸出功率盡可能加大，放大電路應(yīng)采用（）耦合方式。

日光燈可以等效為一個RL串聯(lián)電路，已知30W日光燈的額定電壓為220V。燈管電壓為75V。若鎮(zhèn)流器上的功率損耗可以略去，試計算電路的電流及功率因數(shù)。

求圖中各元件的功率，并指出每個元件起電源作用還是負(fù)載作用。

一壓控振蕩電路如圖所示，R1》R，硅穩(wěn)壓管VDZ的穩(wěn)定電壓為±UZ，UI為負(fù)的直流控制電壓，集成運(yùn)放A1，A2的性能理想。試求uo的峰峰值及電路振蕩頻率f0的表達(dá)式，并畫出uo1及uo的波形。

電路如圖所示，設(shè)MOS管的參數(shù)為UGS（th）=1V，IDO =500uA。電路參數(shù)為VDD=5V，－VSS=－5V，Rd=10kΩ，R=0.5kΩ，IDQ=0.5mA。若流過Rg1、Rg2的電流是IDQ的1/10，試確定Rg1和Rg2的值。

求圖所示電路ab端的等效阻抗Z及導(dǎo)納Y。

判斷圖所示電路的反饋類型和性質(zhì)，寫出Io表達(dá)式，并說明電路的特點(diǎn)。

在圖功放電路中，已知VCC=12V，RL=8Ω。ui為正弦電壓，求： 1．在UCES=0的情況下，負(fù)載上可能得到的最大輸出功率； 2．每個管子的管耗PCM至少應(yīng)為多少？每個管子的耐壓U（BR）CEO至少應(yīng)為多少？

When a p-n junction is reverse-biased，its junction resistance is（）.

為了使放大電路的信號與負(fù)載間有良好的匹配，以使輸出功率盡可能加大，放大電路應(yīng)采用（）耦合方式。

日光燈可以等效為一個RL串聯(lián)電路，已知30W日光燈的額定電壓為220V。燈管電壓為75V。若鎮(zhèn)流器上的功率損耗可以略去，試計算電路的電流及功率因數(shù)。

求圖中各元件的功率，并指出每個元件起電源作用還是負(fù)載作用。

一壓控振蕩電路如圖所示，R1》R，硅穩(wěn)壓管VDZ的穩(wěn)定電壓為±UZ，UI為負(fù)的直流控制電壓，集成運(yùn)放A1，A2的性能理想。試求uo的峰峰值及電路振蕩頻率f0的表達(dá)式，并畫出uo1及uo的波形。

電路如圖所示，設(shè)MOS管的參數(shù)為UGS（th）=1V，IDO =500uA。電路參數(shù)為VDD=5V，－VSS=－5V，Rd=10kΩ，R=0.5kΩ，IDQ=0.5mA。若流過Rg1、Rg2的電流是IDQ的1/10，試確定Rg1和Rg2的值。

求圖所示電路ab端的等效阻抗Z及導(dǎo)納Y。