微電子學(xué)章節(jié)練習(2019.12.02)

化學(xué)氣相淀積SiO₂與熱生長SiO₂相比較，下面哪些說法是正確的：（）。 
1.熱生長SiO₂只能在Si襯底上生長；
2.CVD SiO₂可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO₂，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO₂，溫度低。