A.逆磁場方向排列的質(zhì)子是高能不穩(wěn)態(tài)質(zhì)子 B.順磁場方向排列的質(zhì)子是高能穩(wěn)態(tài)質(zhì)子 C.順磁場方向排列的質(zhì)子是高能不穩(wěn)態(tài)質(zhì)子 D.逆磁場方向排列的質(zhì)子是低能穩(wěn)態(tài)質(zhì)子 E.逆磁場方向排列的質(zhì)子是低能不穩(wěn)態(tài)質(zhì)子
A.與單位面積內(nèi)的原子個數(shù)成反比 B.與入射光子的波長成正比 C.與入射光子的能量成正比 D.與物質(zhì)的原子序數(shù)的四次方成反比 E.與物質(zhì)的原子序數(shù)的四次方成正比
A.相干散射 B.光電效應(yīng) C.光核反應(yīng) D.電子對效應(yīng) E.康普頓效應(yīng)
A.管電壓升高，連續(xù)射線量比例增加 B.管電壓升高，特征射線比例減少 C.是連續(xù)射線與標(biāo)識射線的疊加線譜 D.70kVp以上不產(chǎn)生特征X線 E.80～150kVp特征X線占50%
A.在X線診斷能量范圍內(nèi)，X線能量增加，光電作用的比例下降 B.原子序數(shù)提高，則光電作用增加 C.對于低原子系數(shù)的物質(zhì)，當(dāng)X線能量增加時，衰減減少 D.對于高原子系數(shù)物質(zhì)，當(dāng)X線能量增加時，衰減可能增加 E.對于高原子系數(shù)物質(zhì)，當(dāng)X線能量增加時，衰減一定減少
A.X線能量增加，光電作用的百分?jǐn)?shù)下降 B.原子序數(shù)大的物質(zhì)μ值大 C.質(zhì)密度大的μ值小 D.組織密度決定組織阻止射線的能力 E.每克物質(zhì)的電子數(shù)是X線減弱的主要因素
A.它是以光子擊脫原子的外層軌道電子而產(chǎn)生 B.光電效應(yīng)對膠片產(chǎn)生灰霧 C.光電效應(yīng)降低射線對比度 D.光電效應(yīng)中患者接受的輻射劑量相對較少 E.光電效應(yīng)可產(chǎn)生特征放射
A.0度 B.Ⅰ度 C.Ⅱ度 D.Ⅲ度 E.Ⅳ度
A.即X射線的強(qiáng)度 B.由X射線的波長決定 C.由X射線的頻率決定 D.X射線波長越短，穿透力越弱 E.X射線波長越長，X射線質(zhì)越硬
A.管電流 B.管電壓 C.給予X線管的電能 D.靶物質(zhì)的原子序數(shù) E.X線管陽極、陰極間的距離
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