半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.04.30)

問答題
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？
答案：固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點或共晶點溫度下外延再結(jié)晶的過程。固相外延存在問題—&mda...
問答題
簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO
問答題
什么是擴散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？
答案：擴散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長時互相擴散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴散效應(yīng)對界...
問答題
熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。
答案：離子注入后會對晶格造成簡單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴散系數(shù)...
問答題
假設(shè)進(jìn)行一次受固溶度限制的預(yù)淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm-2。
答案：（1）如果這次預(yù)淀積進(jìn)行了總共t分鐘，若預(yù)淀積溫度不變，引入3Qcm^-2
問答題
說明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡述結(jié)晶型SiO2和無定形SiO2的區(qū)別。
答案：結(jié)晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個頂角的O原子與兩個...
問答題
什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？
答案：表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...
問答題
下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽?dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。
答案：ab段為無光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點為放電的著火點，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...
問答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。
答案：可動離子電荷Q_m來源：主要來源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...
問答題
采用無定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。
答案：無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差，&p...

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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.04.30)

什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？

簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

什么是擴散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

假設(shè)進(jìn)行一次受固溶度限制的預(yù)淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm-2。

說明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡述結(jié)晶型SiO2和無定形SiO2的區(qū)別。

什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？

下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽?dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。

Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

采用無定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.04.30)

什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？

簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

什么是擴散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

假設(shè)進(jìn)行一次受固溶度限制的預(yù)淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm-2。

說明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡述結(jié)晶型SiO2和無定形SiO2的區(qū)別。

什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？

下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽?dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。

Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

采用無定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。

什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問題？

什么是擴散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

假設(shè)進(jìn)行一次受固溶度限制的預(yù)淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm-2。

說明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡述結(jié)晶型SiO2和無定形SiO2的區(qū)別。

什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？

下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽?dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。

Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

采用無定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。