正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲(chǔ)效應(yīng)而形成的電容。
A、C B、F C、S D、T
當(dāng)pn結(jié)二極管由正偏變?yōu)榉雌珪r(shí),空間電荷區(qū)邊緣的過剩少子濃度由穩(wěn)態(tài)值變成零所用的時(shí)間。
由于吸收光子而在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生過剩載流子,從而形成的電流。
A.制備方法簡單 B.工藝成本低 C.制備溫度高 D.可大面積制備