集成電路制造工藝員章節(jié)練習(2018.11.07)

A.點缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.缺失的點

A.錫
B.硫
C.硼
D.磷

A.光學曝光
B.離子束曝光
C.接近式曝光
D.電子束曝光
E.投影式曝光

A.分力之和大于簡單相加的結果
B.分力之和等于簡單相加
C.共享開發(fā)工具、共享信息
D.共同分擔著開發(fā)失敗的風險

A.5~10nm
B.20~30nm
C.50~80nm
D.100~200nm