集成電路制造工藝員（三級(jí)）章節(jié)練習(xí)(2018.07.16)

單項(xiàng)選擇題
當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。
A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)
C.氧的擴(kuò)散速率
D.壓力
單項(xiàng)選擇題
干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。
A.生長(zhǎng)出的二氧化硅中引入很多可動(dòng)離子
B.氧化的速度慢
C.生長(zhǎng)的二氧化硅缺陷多
D.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜鈍化效果差
問(wèn)答題
元器件插裝時(shí)，應(yīng)該注意哪些原則（提示：至少總結(jié)出四條）？
答案：①要根據(jù)產(chǎn)品的特點(diǎn)和企業(yè)的設(shè)備條件安排裝配的順序。
②各種元器件的安裝，應(yīng)該盡量使它們的標(biāo)記（用色碼或字符標(biāo)注...
問(wèn)答題
試寫出SMC元件的小型化進(jìn)程是什么？
答案：系列型號(hào)的發(fā)展變化也反映了SMC元件的小型化進(jìn)程：5750（2220）→4532（1812）→322...
單項(xiàng)選擇題
硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過(guò)（）到達(dá)晶片表面的。
A.粒子的擴(kuò)散
B.化學(xué)反應(yīng)
C.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送
D.被表面吸附
問(wèn)答題
ICT的作用是什么？
答案：ICT利用電腦技術(shù)，在大批量生產(chǎn)的電子產(chǎn)品生產(chǎn)線上，測(cè)試電路板上元器件是否正確及其參數(shù)、電路便裝配是否正確。ICT測(cè)試，...
單項(xiàng)選擇題
請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
單項(xiàng)選擇題
銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無(wú)法以化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行，而必須施以（）。
A.等離子體刻蝕
B.反應(yīng)離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕
問(wèn)答題
請(qǐng)用四色環(huán)標(biāo)注出電阻：6.8kΩ±5％，47Ω±5％。
答案：
6.8kΩ±5％：藍(lán)灰橙金
47Ω±5％：黃紫黑金
問(wèn)答題
試敘述老化篩選的原理，作用及方法。“電解電容器在使用前經(jīng)過(guò)一年的存儲(chǔ)時(shí)間，就可以達(dá)到自然老化”，這句話對(duì)嗎？
答案：老化篩選的原理及作用是，給電子元器件施加熱的、電的、機(jī)械的或者多種結(jié)合的外部效應(yīng)力，模擬惡劣的工作環(huán)境，使它們內(nèi)部的潛在...

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集成電路制造工藝員（三級(jí)）章節(jié)練習(xí)(2018.07.16)

當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。

干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。

元器件插裝時(shí)，應(yīng)該注意哪些原則（提示：至少總結(jié)出四條）？

試寫出SMC元件的小型化進(jìn)程是什么？

硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過(guò)（）到達(dá)晶片表面的。

ICT的作用是什么？

請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。

銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無(wú)法以化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行，而必須施以（）。

請(qǐng)用四色環(huán)標(biāo)注出電阻：6.8kΩ±5％，47Ω±5％。

試敘述老化篩選的原理，作用及方法。“電解電容器在使用前經(jīng)過(guò)一年的存儲(chǔ)時(shí)間，就可以達(dá)到自然老化”，這句話對(duì)嗎？

集成電路制造工藝員（三級(jí)）章節(jié)練習(xí)(2018.07.16)

當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。

干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。

元器件插裝時(shí)，應(yīng)該注意哪些原則（提示：至少總結(jié)出四條）？

試寫出SMC元件的小型化進(jìn)程是什么？

硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過(guò)（）到達(dá)晶片表面的。

ICT的作用是什么？

請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。

銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無(wú)法以化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行，而必須施以（）。

請(qǐng)用四色環(huán)標(biāo)注出電阻：6.8kΩ±5％，47Ω±5％。

試敘述老化篩選的原理，作用及方法。“電解電容器在使用前經(jīng)過(guò)一年的存儲(chǔ)時(shí)間，就可以達(dá)到自然老化”，這句話對(duì)嗎？

當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。

干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。

元器件插裝時(shí)，應(yīng)該注意哪些原則（提示：至少總結(jié)出四條）？

試寫出SMC元件的小型化進(jìn)程是什么？

硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過(guò)（）到達(dá)晶片表面的。

ICT的作用是什么？

銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無(wú)法以化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行，而必須施以（）。

請(qǐng)用四色環(huán)標(biāo)注出電阻：6.8kΩ±5％，47Ω±5％。

試敘述老化篩選的原理，作用及方法。“電解電容器在使用前經(jīng)過(guò)一年的存儲(chǔ)時(shí)間，就可以達(dá)到自然老化”，這句話對(duì)嗎？