單項(xiàng)選擇題

以下關(guān)于理想MOS結(jié)構(gòu)的說法中，正確的是（ ）。

A、不考慮Si-SiO2界面的結(jié)構(gòu)
B、不考慮金屬和半導(dǎo)體之間的功函數(shù)之差
C、金屬和半導(dǎo)體之間不會通過SiO2層交換電子
D、都正確
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