填空題

JFET是利用PN結反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變（）的寬窄，從而控制漏極電流的大??；而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導體表面（）的多少，從而控制漏極電流的大小。

答案： 導電溝道；感生電荷
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