A.400~500℃ B.200~300℃ C.100~200℃ D.650~727℃
A.加熱溫度 B.加熱容器 C.冷卻介質(zhì) D.冷卻快慢
A.剛形成奧氏體的晶粒度 B.奧氏體晶粒長大的傾向 C.奧氏體形成后的晶粒大小 D.奧氏體在具體加熱條件下的奧氏體晶粒大小