答案：在集成電路制造中，為了改善氧化硅膜的質(zhì)量，在氧化的全過程或部分氧化工藝中，在氧化劑的氣氛中加入一定數(shù)量的氯，將氯結(jié)合到氧...

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問答題
【簡答題】為什么水汽氧化生成的氧化層質(zhì)量不如干氧氧化層？工藝中采用什么辦法來改善其氧化層質(zhì)量？
答案：原因：
（1）由于水汽的進入，是網(wǎng)絡中大量的橋鍵氧變?yōu)榉菢蜴I氧的羥基，使氧化層結(jié)構(gòu)變疏松，密度降低，質(zhì)量不如干...
問答題
【簡答題】試說明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長機理（或過程），并比較兩種方法的主要異同點。
答案：干氧氧化：氧化開始時，是氧分子與硅片表面的硅原子進行化學反應，形成初始氧化層，其反應方程式為：Si+O₂