問答題

【計(jì)算題】設(shè)有一半導(dǎo)體鍺組成的突變pn結(jié)，已知n區(qū)施主濃度N_D=10¹⁵/cm³，p區(qū)受主濃度N_A=10¹⁷/cm³，試求室溫（300K）下該pn結(jié)的接觸電勢(shì)差V_D。

答案：

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【計(jì)算題】假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4µm內(nèi)的濃度差為2×10¹⁶cm^-3，試計(jì)算空穴的擴(kuò)散電流密度。

答案：

【計(jì)算題】試求本征硅在室溫（300K）時(shí)的電導(dǎo)率σ_i。設(shè)電子遷移率μ_n和空穴遷移率μ_p分別為1350cm²/Vs和500cm²/Vs，本征載流子濃度n_i=1.510¹⁰/cm³。當(dāng)摻入百萬分之一的砷（As）后，電子遷移率降低為850cm²/Vs，設(shè)雜質(zhì)全部電離，忽略少子的貢獻(xiàn)，計(jì)算其電導(dǎo)率σ，并與本征電導(dǎo)率σ_i作比較。（硅的原子密度為510²²/cm³

答案：

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