兩級阻容耦合放大電路如圖所示,已知T1管為N溝道耗盡型絕緣柵場效應晶體管,gm=2mS,T2管為雙極型晶體管,β=50,rbe=1kΩ,rce可忽略。 (1)求第二級電路的靜態(tài)工作點ICQ2和VCEQ2; (2)若電路中所有電容的容抗在中頻區(qū)域內可忽略,試求該電路的中頻電壓放大倍數(shù)AV、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro; (3)當加大輸入信號時,該放大電路是先出現(xiàn)飽和失真還是先出現(xiàn)截止失真?其最大不失真輸出電壓Vomax為多少?
如圖所示N溝道JFET構成的放大電路,JFET的VGSoff=-2V,IDSS=5mA,S1處于開路狀態(tài)。 (1)說明C1、C2、C3和C4的作用; (2)說明R3和R5的作用; (3)計算電路的輸入阻抗Ri、輸出阻抗Ro和電壓放大倍數(shù)AV; (4)現(xiàn)將N溝道JFET換成HFE=100的BJT,且S1閉合,分析輸入阻抗、輸出阻抗和增益的變化; (5)比較共源JFET放大器和共射BJT放大器的優(yōu)缺點。
電路如圖所示,其中三極管β=100,rbb′300,VBEQ=0.7V。 (1)求靜態(tài)工作點ICQ1、VCEQ1、ICQ2和VCEQ2的值; (2)求中頻段電壓放大倍數(shù)AV=Vo/Vi; (3)求電路下限截止頻率fL; (4)如果試圖提高電路的下限截止頻率,而手頭沒有多余的元器件,對電路中的元器件做怎樣調整,可以實現(xiàn)這個目的。