<bdo id="eo4nu"><pre id="eo4nu"></pre></bdo>

<samp id="eo4nu"><label id="eo4nu"><u id="eo4nu"></u></label></samp>
<samp id="eo4nu"><acronym id="eo4nu"></acronym></samp>

問答題

【簡答題】離子注入摻雜的優(yōu)點是什么？寫出CMOS集成電路制備工藝中用到的離子注入。

答案：

你可能感興趣的試題

【簡答題】什么是含Cl氧化，含Cl氧化的好處是什么？

答案：

單晶硅太陽能電池采用（）表面來增加表面積，用沉積Si₃N₄作（）膜來降低入射光的反射，用在擴(kuò)散層表面氧化生長（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價鍵失配，減少表面復(fù)合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si₃N₄時，反應(yīng)中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）

答案：絨化；減反膜；10~25；介面態(tài)

<tfoot id="9e3lk"></tfoot>

<fieldset id="9e3lk"><optgroup id="9e3lk"></optgroup></fieldset>