A.溫度B.摻雜工藝C.摻雜濃度D.晶格缺陷
A.放大區(qū) B.飽和區(qū) C.截止區(qū) D.擊穿區(qū)
A.多子擴(kuò)散而成 B.少子擴(kuò)散而成 C.少子漂移而成 D.多子漂移而成