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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】列出Si—SiO2界面處的四種電荷，說(shuō)明鈉離子是屬于哪一類電荷，以及這一類電荷會(huì)導(dǎo)致芯片出現(xiàn)什么問(wèn)題，工藝中如何解決這一問(wèn)題？
答案：
四種類型的界面電荷：可動(dòng)離子電荷：Qm（C/cm2），正電荷，如Na+、K<...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明高壓氧化技術(shù)的原理（或依據(jù)）及主要作用，并說(shuō)明高低壓氧化各自的控制機(jī)制和氧化層厚度的變化規(guī)律。
答案：
常數(shù)B隨壓力線性變化，則在一定條件下，通過(guò)增加氧化劑分壓來(lái)強(qiáng)迫氧原子以更快的速度穿越正在生長(zhǎng)的氧化層，因而使線性和拋物線...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是表面反應(yīng)控制？什么是擴(kuò)散控制？并說(shuō)明什么情況下生長(zhǎng)過(guò)程分別為這兩種控制，以及這兩種控制在生長(zhǎng)速率上呈何種反應(yīng)？
答案：
表面反應(yīng)控制階段：SiO2生長(zhǎng)的初始階段，SiO2的生長(zhǎng)速率即氧化層生長(zhǎng)的快...
