判斷題

CMOS制作時，源、漏、柵等結構都做在場氧化區(qū)。

答案：錯誤

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LOCOS工藝主要用于制作MOS管的柵氧結構。

答案：錯誤

制備多晶硅之前先做一層薄氧，這層薄氧是柵氧。

答案：錯誤