二氧化硅按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可將其分為結(jié)晶形跟非結(jié)晶形,熱氧化生長(zhǎng)的SiO2為非結(jié)晶態(tài)。
CMP(CMP-chemical mechanical polishing)包括哪些過程?
包括:邊緣拋光:分散應(yīng)力,減少微裂紋,降低位錯(cuò)排與滑移線,降低因碰撞而產(chǎn)生碎片的機(jī)會(huì)。表面拋光:粗拋光,細(xì)拋光,精拋光
腐蝕方式:噴淋及浸泡