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單項(xiàng)選擇題

金屬-SiO₂-p型Si構(gòu)成的MIS結(jié)構(gòu)中，SiO₂中分布的可動正電荷不會影響（）。

A.半導(dǎo)體表面勢
B.平帶電壓
C.平帶電容
D.器件的穩(wěn)定性

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單項(xiàng)選擇題

GaAs具有微分負(fù)電導(dǎo)現(xiàn)象，原因在于在強(qiáng)電場作用下，（）

A.載流子發(fā)生能谷間散射
B.載流子遷移率增大
C.載流子壽命變大
D.載流子濃度變小

單項(xiàng)選擇題

若某材料電阻率隨溫度升高而單調(diào)下降，該材料是（）

A.本征半導(dǎo)體
B.雜質(zhì)半導(dǎo)體
C.金屬導(dǎo)體
D.簡并半導(dǎo)體

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