問答題

【簡(jiǎn)答題】最初只知道一個(gè)特殊的硅器件摻雜是用離子注入方法制備的，后經(jīng)過測(cè)量得知：表面雜質(zhì)濃度為4×10¹³cm^-3，峰值在1800Å深處，峰值濃度為5×10¹⁷cm^-3。假定離子注入服從對(duì)稱高斯分布，你能估計(jì)出它的注入劑量是多少嗎？

答案：

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【簡(jiǎn)答題】
假設(shè)某項(xiàng)化學(xué)氣相淀積工藝受反應(yīng)速率控制，在700 ℃和800 ℃時(shí)的淀積速率分別為500Å/min和2000Å/min，請(qǐng)計(jì)算在900℃下的淀積速率是多少？實(shí)際測(cè)量發(fā)現(xiàn)900℃下淀積速率遠(yuǎn)低于計(jì)算值，說明什么？怎樣證明？（化學(xué)氣相淀積的反應(yīng)速率常數(shù)）

答案：

【簡(jiǎn)答題】
識(shí)別如圖所示工藝，寫出每個(gè)步驟名稱并進(jìn)行描述。

答案：如圖所示工藝每個(gè)步驟名稱為：
1 氣相成底膜：清洗、脫水，脫水烘焙后立即用HMDS進(jìn)行成膜處理，起到...

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