下圖所示電路中,已知硅型晶體三極管發(fā)射結正向導通電壓為0.7V,β=100,臨界放大飽和時三極管壓降(集電極-發(fā)射極之間)為0.3V。判斷電路中各晶體管的工作狀態(tài)。
為了簡化分析過程,分析下圖電路的低頻特性時,可以忽略()電容的影響。分析中頻特性時,忽略()電容的影響。分析高頻特性時,忽略()電容的影響。