問答題

【計算題】某半導體材料的少子壽命τ=20μs，光照產生了非平衡載流子，試求光照突然停止10μs后，非平衡載流子將衰減到原來的百分之幾？

答案：

你可能感興趣的試題

【計算題】在一N-Ge樣品中，過剩載流子濃度為10¹⁴cm^-3，空穴壽命100μs，計算該樣品中空穴的復合率。

答案：

【計算題】
473K時硅的求本征硅的電阻率ρ_i。

答案：