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問答題

【計算題】已知施主濃度為1×10¹⁸cm^－3，受主濃度為5×10¹⁶cm^－3，試分別求出鍺、硅材料在室溫下的接觸電勢差。

答案：

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【計算題】設空穴的濃度呈線性分布，在3μm內濃度差為1×10¹⁵cm^－3，遷移率為400cm²/（V·s），試計算室溫下的空穴擴散電流密度j_h。

答案：

【計算題】在某一N型半導體電子濃度為1×10¹⁵cm^－3，電子遷移率為1000cm²/（V·s），求其電阻率。

答案：